MicroLink Devices setzt auf Aixtron MOCVD-Technologie

Das auf die Herstellung von HBTs und Solarzellen auf Basis von III-V-Verbindungshalbleitern spezialisierte US-amerikanische Unternehmen wird die neue Anlage auch auf diesem Gebiet einsetzen. Nach der Auslieferung im zweiten Quartal 2011 werden die technischen Teams beider Unternehmen die Inbetriebnahme in Microlinks moderner Produktionsstätte in Niles, Illinois vornehmen. Dr. Noren Pan, Präsident von MicroLink Devices, zieht Bilanz: „Seit der Gründung im Jahr 2000 sind wir dank unserer Kompetenz im Bereich der MOCVD-basierten III-V- Halbleitertechnologie heute in der Lage, erstklassige Hochleistungs-Mikrowellentransistoren zu fertigen. Mit dem sogenannten ELO-Prozess haben wir kürzlich ein eigenes patentrechtlich geschütztes epitaktisches Lift-off-Verfahren entwickelt, mit dem wir deutlich kostengünstigere Hochleistungs-Solarzellen auf Galliumarsenid-Basis (GaAs) herstellen können. Im gleichen Maße wie das Unternehmen hat sich auch unsere auf Aixtrons Systemen basierende Technologie beständig weiterentwickelt, so dass wir nicht lange nach einer geeigneten Depositionsanlage suchen mussten, mit der wir neue Produkte auf den Markt bringen können." Mit einer deutlichen Steigerung der Waferkapazitäten will MicroLink seine Potenziale jetzt weiter ausbauen. ----- HBT, Heterojunction Bipolartransistor = Bipolar-Transistor mit einem Heteroübergang III-V-Verbindungshalbleiter = Materialien der 3. und 5. Gruppe des Periodensystems MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung ELO, Epitaxial Lift-Off = Epitaktischer Lift-Off, Separation einer Halbleiter-Heterostruktur von ihrem Basissubstrat